真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)設(shè)備用途：

 用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

真空室		圓筒型前開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)，尺寸?450×40mm
真空系統(tǒng)配置		復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、氣動(dòng)閘板閥、進(jìn)口SMC氣缸節(jié)流閥
極限壓力		≤6.6 *10-6 Pa。（經(jīng)烘烤除氣后）
恢復(fù)真空時(shí)間		25 分鐘可達(dá)到≤6.6×10-6 Pa。（短時(shí)間撰茲大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣）
磁控靶組件		永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；每個(gè)靶配進(jìn)口 SMC 旋轉(zhuǎn)氣動(dòng)擋板
單基片加熱臺(tái)	樣品尺寸	?4英寸
	運(yùn)動(dòng)方式	基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 0－30 轉(zhuǎn)/分
	加熱	進(jìn)口加熱絲加熱，zui高加熱溫度 600℃ ±1℃
	擋板形式	進(jìn)口 SMC 轉(zhuǎn)角氣缸控制
氣路系統(tǒng)		質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)		采用 PLC ＋工控機(jī)＋觸摸屏全自動(dòng)控制方式
可選配件		膜厚儀、氣泵、水冷循環(huán)機(jī)
設(shè)備占地面積	主機(jī)	I000×1800mm2
	電控柜	900×600mm2

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