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CY-O1200BG-Φ50-100×100-V-T是一款小型的1100℃布里奇曼單晶生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環境下或密封石英坩堝環境下生長小尺寸的晶體。
Bridgeman法晶體生長過程
把晶體生長的原料裝入合適的容器中，在具有單向溫度梯度的Bridgman晶體生長爐內進行生長。Bridgman晶體生長爐通常采用管式結構，為３個區域（加熱區、梯度區和冷卻區）。加熱區的溫度高于晶體的熔點，冷卻區低于晶體熔點，梯度區的溫度逐漸由加熱區溫度過渡到冷卻區溫度，形成一維的溫度梯度。首先將坩堝置于加熱區進行熔化，并在一定的過熱度下恒溫一段時間，獲得均勻的過熱熔體。然后通過爐體的運動或坩堝的移動使坩堝由加熱區穿過梯度區向冷卻區運動。坩堝進入梯度區后熔體發生定向冷卻，首先達到低于熔點溫度的部分發生結晶，并隨著坩堝的連續運動而冷卻，結晶界面沿著與其運動相反的方向定向生長，實現晶體生長過程的連續進行。
圖１ Bridgman法晶體生長的基本原理
（ａ）基本結構； （ｂ）溫度分布。
Bridgman法晶體生長一般分為：
垂直Bridgman法
（圖１.所示）坩堝軸線與重力場方向平行，高溫區在上方，低溫區在下方，坩堝從上向下移動，實現晶體生長。該方法是*常見的Bridgman法，稱為垂直Bridgman法。
水平Bridgman法
水平Bridgman法其溫度梯度（坩堝軸線）方向垂直于重力場。垂直Bridgman法利于獲得圓周方向對稱的溫度場和對流模式，從而使所生長的晶體具有軸對稱的性質；而水平Bridgman法的控制系統相對簡單，并能夠在結晶界面前沿獲得較強的對流，進行晶體生長行為控制。同時，水平Bridgman法還有利于控制爐膛與坩堝之間的對流換熱，獲得更高的溫度梯度。此外，也有人采用坩堝軸線與重力場成一定角度的傾斜Bridgman法進行晶體生長。而垂直Bridgman法也可采用從上向下生長的方式。
技術參數
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產品名稱 |
1100℃布里奇曼單晶生長爐 |
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產品型號 |
CY-O1200BG-Φ50-100×100-V-T |
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工作電壓： |
220V |
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*大功率 |
1.5 KW |
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兩個加熱區 |
每個加熱區長度100 mm ，總加熱區長度200 mm L |
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*高工作溫度 |
1200°C |
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連續工作溫度 |
1100°C |
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兩個可編程數字溫度控制器，分別控制兩個加熱區l *大溫度梯度：1oC/Cm |
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用戶需要探索所長晶體*合適的溫度梯度 |
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調節兩個加熱區的溫度，來形成不同的溫度梯度 |
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調節爐體的開啟大小，也可以改變溫度梯度 |
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石英管（2英寸石英管（50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L）帶有密封法蘭） |
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鉑絲：*高可承受溫度1600℃ 懸掛絲可穿過法蘭，若爐管內保持正壓，可在氣氛保護環境下生長晶體 對于氧敏感材料，樣品可封裝在小的石英管內 |
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電機和控制 |
速度范圍: 0.03-90 mm/h （可調），精度：+/- 0.05% 可選購更**的提拉機構，速度為：0.4mm/h 總移動行程: 450mm 電機功率: 50W |
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產品尺寸 |
560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H) |
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凈重 |
105公斤（230磅） |
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